該(gai)光(guang)(guang)(guang)刻(ke)機可(ke)廣泛用(yong)于MEMS和光(guang)(guang)(guang)電子(zi)，例如LED生(sheng)產。它(ta)經(jing)過**設計，方便處理(li)各種非標準(zhun)基片、例如混合、高頻元件(jian)和易碎的III-V族材料，包括(kuo)砷化(hua)鎵和磷(lin)化(hua)銦。而且該(gai)設備可(ke)通過選(xuan)配升(sheng)級套(tao)件(jian)，實(shi)(shi)現紫外納米(mi)壓印光(guang)(guang)(guang)刻(ke)。它(ta)具有以下亮點：高分辨率掩模對(dui)準(zhun)光(guang)(guang)(guang)刻(ke)，特(te)征尺寸優于0.5微(wei)米(mi)、裝配SUSS的單視場顯(xian)微(wei)鏡或分視場顯(xian)微(wei)鏡，實(shi)(shi)現快速準(zhun)確(que)對(dui)準(zhun)、針(zhen)對(dui)厚膠工(gong)藝(yi)進行(xing)優化(hua)的高分辨光(guang)(guang)(guang)學系(xi)統、可(ke)選(xuan)配通用(yong)光(guang)(guang)(guang)學器件(jian)，在不(bu)同波長(chang)間進行(xing)快速切換(huan)等。
采(cai)用三柔(rou)性支點實現高(gao)精度自動(dong)(dong)調平；真空接觸自動(dong)(dong)曝(pu)光；樣片升降、調平、接觸、曝(pu)光、復位(wei)實現自動(dong)(dong)化(hua)控制；采(cai)用積木錯(cuo)位(wei)蠅眼透鏡實現高(gao)均勻照明(ming)；可連續設定分離間隙；采(cai)用雙目雙視場顯微鏡實現高(gao)對準精度。整機具有性能可靠(kao)、操作方便、自動(dong)(dong)化(hua)程度高(gao)等特點。
光刻(ke)機通過(guo)一系列的光源能(neng)量(liang)、形狀控制手(shou)段(duan)，將(jiang)光束透射過(guo)畫著線路(lu)(lu)圖(tu)(tu)的掩模(mo)，經物鏡補償(chang)各種(zhong)光學誤(wu)差，將(jiang)線路(lu)(lu)圖(tu)(tu)成比例縮小后映射到硅(gui)片上，不同光刻(ke)機的成像(xiang)比例不同，有5:1，也(ye)有4:1。然后使用化學方法(fa)顯影，得到刻(ke)在硅(gui)片上的電路(lu)(lu)圖(tu)(tu)（即芯片）。
一(yi)(yi)般的(de)光(guang)刻(ke)工藝(yi)要(yao)經歷硅片表面(mian)清洗烘(hong)干、涂底、旋涂光(guang)刻(ke)膠(jiao)、軟烘(hong)、對準曝光(guang)、后烘(hong)、顯影(ying)、硬烘(hong)、激光(guang)刻(ke)蝕等工序。經過一(yi)(yi)次光(guang)刻(ke)的(de)芯(xin)片可(ke)以繼續涂膠(jiao)、曝光(guang)。越復雜(za)的(de)芯(xin)片，線(xian)路(lu)圖(tu)的(de)層(ceng)數越多，也需要(yao)更精(jing)密的(de)曝光(guang)控制過程。
紫外光刻機(ji)工(gong)作原理(li)
在加工芯片的(de)過(guo)程中(zhong)，光刻機通過(guo)一系(xi)列的(de)光源能量、形(xing)狀控制手段，將(jiang)光束(shu)透射(she)過(guo)畫著線路圖(tu)的(de)掩(yan)模，經(jing)物鏡補償各種光學誤差，將(jiang)線路圖(tu)成(cheng)比(bi)例縮小后映(ying)射(she)到硅片上，然后使(shi)用化學方法顯影(ying)，得到刻在硅片上的(de)電路圖(tu)。
一般(ban)的(de)光(guang)刻(ke)(ke)工藝要經(jing)歷硅片表(biao)面清洗烘干、涂底、旋涂光(guang)刻(ke)(ke)膠(jiao)、軟烘、對準曝(pu)光(guang)、后烘、顯(xian)影、硬烘、激光(guang)刻(ke)(ke)蝕等(deng)工序。經(jing)過一次(ci)光(guang)刻(ke)(ke)的(de)芯(xin)片可以繼(ji)續(xu)涂膠(jiao)、曝(pu)光(guang)。越復雜的(de)芯(xin)片，線路圖的(de)層數越多，也需要更精密的(de)曝(pu)光(guang)控制(zhi)過程。
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